HAC-102型非晶硅/晶體硅異質結太陽電池中試CVD-PVD線
功能用途：
非標定制設備，主要用于在單晶硅片上采用熱絲CVD方式鍍制非晶硅p層、非晶硅i層、非晶硅n層；采用磁控濺射（PVD）方式鍍制TCO薄膜。包含多種結構、運行和工藝靈活調控功能，適合于非晶硅/晶體硅異質結太陽電池工藝與設備技術中試研究。
● 設備總體構成：
-In-line 立式結構，雙片載板進入Load腔，單片載板出Unload 腔，載板垂直放置。每次沉積為雙載板同時進入腔體；
-包含９腔。1腔為Load 腔體，2、3、5、6腔為熱絲ＣＶＤ腔；4腔與7腔為載板位置變換腔體同時也帶有加熱功能；8腔為磁控濺射腔，可In-line 方式雙面沉積TCO薄膜；9腔為Unload出片腔。
- 載板可以多種方式在各個腔體之間轉移或者停留；
-硅片從1號腔移動到9號腔，可一次完成兩個載片的硅片兩面I/N/TCO 和I/P/TCO的鍍膜。
- 載板結構：載運２x2全尺寸硅片；鏤空結構。
- 含工藝氣體需要的所有超純氣體的供氣系統，符合各項安全以及氣體純度等方面要求。
- 熱絲到載板距離、磁控濺射靶到基板的距離可調；
- 載板運動、鍍膜工藝的進行均自動抽空，同時配備必要的緊急手動控制。
全部產品
每小時4000片166硅片，最大可兼容210硅片；配套其它國產先進產線設備可實現量產平均電池效率>24.5%。
每小8000片166硅片，最大可兼容210硅片；配套其它國產先進產線設備可實現量產平均電池效率>24.5%。
非標定制設備，主要用于在單晶硅片上采用熱絲CVD方式鍍制非晶硅p層、非晶硅i層、非晶硅n層；采用磁控濺射（PVD）方式鍍制TCO薄膜。
客戶留言
描述：
贛公網安備36048202000059號