SiNx:H、SiNxOy:H、SiOx:H系列薄膜（以下統一簡稱為：SiNxOy）是晶硅電池中性能優異的減反射和鈍化薄膜。但用常規管式PECVD制備時，制備溫度須達到~400℃。這與異質結(HJT)電池生產過程低溫的要求矛盾（高溫會破壞HJT核心層a-Si:H、μc-Si:H薄膜的質量，從而大幅降低其光電轉換效率），這使其一直無法在HJT電池上應用。

漢可公司通過多年研發，最終實現了利用板式熱絲CVD(HoFCVD)設備在低溫（室溫-200℃）下制備高質量SiNxOy薄膜。同時，解決了鍍膜過程中N、O元素對熱絲腐蝕所造成的熱絲壽命下降的難題。另外，基于漢可的HoFCVD裝備，可以實現≤2000萬元/GW的生產成本（含自動化），性價比優勢顯著。

這一裝備和技術的成功，為HJT電池引入新的材料和結構變化的可能性。舉例如下：

我們已經成功的在TCO的表面和金屬柵線的表面實現了上述膜層的制備。結合電池實驗結果和理論分析，總結其在HJT方面有如下優勢：

① 提升ITO的減反射效果：設計合理的ITO/SiNxOy:H復合膜層，可以有效增加HJT輸出電流。同時，還可以減少50%以上高成本ITO的用量。如果結合超細、超密的電鍍銅柵線結構，則可以進一步減少ITO的消耗。

② 覆蓋在柵線表面，提升柵線的耐紫外線、耐水汽侵蝕效果：這一點對于目前HJT行業廣泛采用的銀包銅、銅漿、電鍍銅柵線尤為重要，有望徹底解決含銅柵線不耐氧化和水汽侵蝕的難題。

③ 提升抗紫外衰減: SiNxOy:H薄膜本身能夠吸收部分/全部紫外線，能夠有效提高HJT電池抗紫外衰減性能。

④ 覆蓋所有未被ITO覆蓋的區域，阻隔環境對a-Si:H/μc-Si:H薄膜和Si片的侵蝕。

成品電池片鍍不同膜厚SiNx的抗紫外衰減效果

抗紫外衰減測試結果表明，未鍍SiN_x的電池片（BL）衰減1.53%，鍍2nmSiNx的電池片衰減1.09%，鍍5nmSiNx的電池片衰減1%。因此，在成品電池片表面鍍一層SiNx可有效提升電池抗紫外衰減的效果。

將HoFCVD低溫甚至室溫制備的SiNx:H薄膜用作HJT制備流程中“背拋”工段的掩膜。由于HoFCVD制備的SiNxOy:H薄膜結構致密、耐腐蝕性好，且鍍膜過程中無繞鍍，在有效保護正面不被腐蝕的同時，可以充分實現背面的完整拋光。此外，HoFCVD鍍膜過程中無粉塵、設備載板、防著板的清洗非常容易，可以大大改善生產的連續性，降低生產成本。公司針對SiNxOy:H薄膜的相關研發結果如下所示：

 綜上所述，漢可公司開發成功了低溫（室溫~200℃）制備SiNx:H和SiNxOy:H技術。基于此已經開發嘗試了系列HJT量產新技術，可以提升HJT的光電轉換效率，減少ITO的用量50%以上，顯著提升電池的抗氧化、水汽的性能，減少衰減。隨著研究的深入，將開發出更多的應用場景，助力異質結電池性能的進一步提升，產業規模不斷擴大。